შოტკის დიოდი

მასალა ვიკიპედიიდან — თავისუფალი ენციკლოპედია
Jump to navigation Jump to search

შოტკის ბარიერული დიოდი (სახელწოდება მიიღო გერმანელი მეცნიერის ვ. შოტკის პატივსაცემად, რომელმაც 1938-1939 წლებში შექმნა ასეთი დიოდების თეორიის საფუძვლები) — ლითონ-ნახევრადგამტარის კონტაქტის ფუძეზე დამზადებული ნახევრადგამტარიანი დიოდი.

შოტკის დიოდის დამზადებისას ნახევრადკრისტალის (Si, Ga, As, შედარებით იშვიათად Ge) გაწმენდილ ზედაპირს ვაკუუმური აორთქლების, კათოდური დამტვერვის ან ელექტროლიზური დალექვის მეთოდებით ფარავენ ლითონის (Au, Al, Ag, Pt და სხვა) თხელი შრით. შოტკის დიოდში ისევე, როგორც ელექტრონულ-ხვრელური გადასვლების მქონე დიოდში, წარმოიქმნება პოტენციალური ბარიერი, რომლის სიმაღლის ცვლილება გარეგანი ძაბვის ზეგავლენით იწვევს ხელსაწყოში გამავალი დენის ცვლილებას.

შოტკის დიოდის თავისებურებები: პოტენციალური ბარიერის საჭირო სიმაღლის მიღების შესაძლებლობა სათანადო ლითონის შერჩევით; მცირე ინერციულობა ( წმ-მდე), მაღალ სიხშირეთა ხმაურის დაბალი დონე, დამზადების სიმარტივე და სხვა.

შოტკის დიოდს უმთავრესად იყენებენ ზემაღალი სიხშირის დიოდად, აგრეთვე გამოსხივების მიმღებად, ბირთვული გამოსხივების დეტექტორად, ტენზოგადამწოდად და ა. შ.

ლიტერატურა[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]