შინაარსზე გადასვლა

უილიამ შოკლი

სტატიის შეუმოწმებელი ვერსია
მასალა ვიკიპედიიდან — თავისუფალი ენციკლოპედია
უილიამ შოკლი
ინგლ. William Bradford Shockley

შოკლი 1956 წელს
სრული სახელი უილიამ ბრედფორდ შოკლი
დაბ. თარიღი 1910 წლის 13 თებერვალი
დაბ. ადგილი ლონდონი, ინგლისი
გარდ. თარიღი 1989 წლის 12 აგვისტო (79 წლის)
გარდ. ადგილი სტანფორდი, კალიფორნია, აშშ
დასაფლავებულია ალტა-მესის მემორიალური პარკი
მოქალაქეობა  გაერთიანებული სამეფო
 აშშ
საქმიანობა ფიზიკოსი
მუშაობის ადგილი Bell Labs
შოკლის ნახევარგამტარების ლაბორატორია
სტენფორდის უნივერსიტეტი
ალმა-მატერი კალტექი (მეცნიერების ბაკალავრი)
მასაჩუსეტსის ტექნოლოგიის ინსტიტუტი (დოქტორი)
სამეცნიერო ხელმძღვანელი ჯონ კ. სლეიტერი[1]
სამეცნიერო ხარისხი Doctor of Philosophy in Physics
მეუღლე ჯინ ბეილი (ქორწ. 1933; დაშორ. 1953)
ემი ლენინგი (ქორწ. 1955)
მამა უილიამ ჰ. შოკლი
დედა მეი ბრედფორდი
შვილ(ებ)ი 3
ჯილდოები IRE-ის მორის ლიბმანის მემორიალური პრემია (1952)
კომსტოკის პრემია ფიზიკაში (1953)
ოლივერ ე. ბაკლის პრემია (1953)
ნობელის პრემია ფიზიკაში (1956)
ვილჰელმ ექსნერის მედალი (1963)
ჰოლის მედალი (1963)
IEEE-ის ღირსების მედალი (1980)
ცნობილია როგორც შოკლის დიოდი
შოკლის დიოდის განტოლება
ჰეინს–შოკლის ექსპერიმენტი
ბიპოლარული გადასასვლელი ტრანზისტორი
წერტილოვანი კონტაქტის ტრანზისტორი
სამეცნიერო სფერო ფიზიკა

უილიამ ბრედფორდ შოკლი (ინგლ. William Bradford Shockley; დ. 13 თებერვალი, 1910 — გ. 12 აგვისტო, 1989) — ამერიკელი ფიზიკოსი. იგი Bell Labs-ში ხელმძღვანელობდა კვლევით ჯგუფს, რომელშიც ასევე შედიოდნენ ჯონ ბარდინი და უოლტერ ბრატეინი. 1956 წელს სამივე მეცნიერს ერთობლივად მიენიჭა ნობელის პრემია ფიზიკაში „ნახევარგამტარების კვლევისა და ტრანზისტორული ეფექტის აღმოჩენისთვის“.[2]

1950-იან და 1960-იან წლებში შოკლიმ ახალი ტიპის ტრანზისტორის კომერციალიზაცია სცადა. ნაწილობრივ სწორედ ამ მცდელობამ აქცია კალიფორნიის სილიციუმის ველი ელექტრონიკის ინოვაციების კერად. მიუხედავად იმისა, რომ შოკლიმ უაღრესად ნიჭიერი სპეციალისტები შემოიკრიბა, მისი ავტოკრატიული და არათანმიმდევრული მართვის სტილის გამო თანამშრომლებთან ურთიერთობა მალევე დაიძაბა. საბოლოოდ, მათ დატოვეს შოკლის ლაბორატორია და დარგში არაერთი მსხვილი კომპანია დააარსეს.[3]

ცხოვრების შემდგომ წლებში, სტენფორდის უნივერსიტეტში ელექტროინჟინერიის პროფესორად მუშაობისას და შემდგომაც, შოკლი თავისი რასისტული და ევგენიკური შეხედულებებითაც გახდა ცნობილი.[4][5][6][7][8][9]

ადრეული ცხოვრება და განათლება

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

უილიამ ბრედფორდ შოკლი დაიბადა 1910 წლის 13 თებერვალს ლონდონში, ამერიკელი მშობლების ოჯახში. სამი წლის ასაკიდან იგი ოჯახის მშობლიურ ქალაქ პალო-ალტოში (კალიფორნია) იზრდებოდა.[10] მამამისი, უილიამ ჰილმან შოკლი, სამთო ინჟინერი იყო, რომელიც თავს საბადოებთან დაკავშირებული სპეკულაციური გარიგებებით ირჩენდა და რვა ენას ფლობდა. დედამისი, მეი ბრედფორდი, ამერიკის დასავლეთში გაიზარდა, სტენფორდის უნივერსიტეტი დაამთავრა და აშშ-ის სამთო აზომვების სამსახურის პირველი ქალი მოადგილე-ამზომველი გახდა.[11]

რვა წლამდე შოკლი შინ სწავლობდა. ეს ნაწილობრივ მშობლების მიერ საჯარო სკოლებისადმი უნდობლობით იყო განპირობებული, ნაწილობრივ კი — ბავშვის მძაფრი სიბრაზის შეტევებით.[12] ბავშვობაში მან ფიზიკის საფუძვლები მეზობლისგან, სტენფორდის უნივერსიტეტის ფიზიკის პროფესორისგან შეისწავლა.[13] ორი წლის განმავლობაში პალო-ალტოს სამხედრო აკადემიაში სწავლობდა, შემდეგ მცირე ხნით ლოს-ანჯელესის მოსამზადებელ სკოლაში (Los Angeles Coaching School) ფიზიკის შესასწავლად ჩაირიცხა, 1927 წელს კი ჰოლივუდის საშუალო სკოლა დაამთავრა.[14][15]

1932 წელს შოკლიმ კალიფორნიის ტექნოლოგიის ინსტიტუტში მეცნიერების ბაკალავრის ხარისხი მიიღო. სწავლა განაგრძო მასაჩუსეტსის ტექნოლოგიის ინსტიტუტში, სადაც 1936 წელს, ნატრიუმის ქლორიდის ელექტრონული ზონური სტრუქტურის შესახებ დაცული დისერტაციის საფუძველზე, დოქტორის ხარისხი მოიპოვა.[16][1]

კარიერა და კვლევა

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

შოკლი ერთ-ერთი პირველი მეცნიერი იყო, რომელიც მერვინ კელიმ Bell Telephone Laboratories-ში სამუშაოდ მიიწვია. კელი 1936 წელს კომპანიის კვლევების დირექტორი გახდა და განსაკუთრებულ ყურადღებას მყარი სხეულის ფიზიკოსების დაქირავებას უთმობდა. შოკლი ნიუ-ჯერსის შტატის მარი-ჰილში კლინტონ დევისონის ჯგუფს შეუერთდა.[17] Bell Labs-ის ხელმძღვანელობა ვარაუდობდა, რომ ნახევარგამტარებზე დაფუძნებული მყარსხეულოვანი მოწყობილობები კომპანიის ქვეყნის მასშტაბით მოქმედ სატელეფონო სისტემაში გამოყენებულ ვაკუუმურ მილებს ჩაანაცვლებდა. შოკლიმ სპილენძის ოქსიდის ნახევარგამტარულ მასალებზე დაფუძნებული რამდენიმე კონსტრუქცია შეიმუშავა, ხოლო 1939 წელს უოლტერ ბრატეინთან ერთად პროტოტიპის შექმნა უშედეგოდ სცადა.[18]

შოკლიმ მყარი სხეულის ფიზიკის შესახებ რამდენიმე ფუნდამენტური ნაშრომი გამოაქვეყნა ჟურნალში Physical Review. 1938 წელს ელექტრონული გამამრავლებლების შესახებ პირველი პატენტი მიიღო, სახელწოდებით „ელექტრონული განმუხტვის მოწყობილობა“.[19]

შოკლი (მარცხნივ) სამხედრო კვლევებში მუშაობის წლებში

მეორე მსოფლიო ომმა შოკლის მიმდინარე კვლევები შეაჩერა. იგი გადაერთო რადარის კვლევაში, რომელიც მანჰეტენში წარმოებდა. 1942 წლის დასაწყისში, Bell Labs-ში მუშაობისას, იგი დაყოვნების ხაზის მეხსიერების პრაქტიკული გამოყენების ერთ-ერთი პიონერი გახდა. ეს ტექნოლოგია ვაკუუმურ მილებზე დაფუძნებულ კონკურენტ ელექტრონულ მეხსიერებაზე 100-ჯერ იაფი იყო და დაახლოებით იმავე სიჩქარით მუშაობდა.[20] 1945 წლისთვის ეს ტექნოლოგია კომპიუტერ ENIAC-ში გამოიყენეს.

1942 წლის მაისში შოკლიმ Bell Labs-იდან შვებულება აიღო და კოლუმბიის უნივერსიტეტის წყალქვეშა ნავების საწინააღმდეგო ოპერაციების ჯგუფში კვლევების დირექტორად დაიწყო მუშაობა.[21] მისი მთავარი ამოცანა იყო წყალქვეშა ნავების წინააღმდეგ ბრძოლის მეთოდების დახვეწა, მათ შორის კონვოირების ტაქტიკის გაუმჯობესება და სიღრმული ბომბების განლაგების ოპტიმიზაცია. მაღალი რანგის ოფიცრებსა და სახელმწიფო მოხელეებთან შესახვედრად შოკლი ხშირად მიემგზავრებოდა პენტაგონსა და ვაშინგტონში.[22]

1944 წელს მან B-29 ტიპის ბომბდამშენების მფრინავებისთვის სარადარო დამიზნების ახალი ხელსაწყოების გამოყენების სასწავლო პროგრამა შეიმუშავა. წლის ბოლოს, შედეგების შესაფასებლად, მსოფლიოს სხვადასხვა სამხედრო ბაზას ეწვია. ამ პროექტისთვის აშშ-ის ომის მდივანმა რობერტ პატერსონმა იგი 1946 წლის 17 ოქტომბერს დამსახურების მედლით დააჯილდოვა.[23] 1945 წლის ივლისში, ომის დეპარტამენტის დავალებით, მან შეაფასა იაპონიის მთავარ კუნძულებზე შეჭრის შემთხვევაში მოსალოდნელი დანაკარგები. შოკლიმ დაასკვნა:

„თუ კვლევა აჩვენებს, რომ იაპონიის შესადარებელ ყველა ისტორიულ შემთხვევაში სახელმწიფოთა ქცევა ბრძოლის ველზე ჯარების ქცევას უცვლელად შეესაბამებოდა, ეს ნიშნავს, რომ დამარცხების მომენტისთვის დაღუპული და მწყობრიდან გამოსული იაპონელების რაოდენობა გერმანელთა შესაბამის მაჩვენებელს გადააჭარბებს. სავარაუდოდ, სულ მცირე 5-დან 10 მილიონამდე იაპონელის მოკვლა მოგვიწევს, რასაც ჩვენი მხრიდან შეიძლება 1,7-დან 4 მილიონამდე დანაკარგი მოჰყვეს (მათ შორის 400 000-დან 800 000-მდე დაღუპული).“[24]

რობერტ პ. ნიუმენის შეფასებით, სწორედ ამ ანგარიშმა იქონია გავლენა აშშ-ის გადაწყვეტილებაზე, ჰიროსიმასა და ნაგასაკიში ატომური ბომბები ჩამოეგდო.[25]

შოკლი პირველი ფიზიკოსი იყო, რომელმაც სამეცნიერო ნაშრომების შექმნის პროცესის მოდელირებისთვის ლოგნორმალური განაწილების გამოყენება შესთავაზა.[26]

ტრანზისტორის გამოგონება

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]
იხილეთ აგრეთვე: ტრანზისტორის ისტორია
ჯონ ბარდინი, შოკლი (ცენტრში) და უოლტერ ბრატეინი Bell Labs-ში, 1948 წელი

1945 წელს, ომის დასრულებიდან მალევე, Bell Labs-მა მყარი სხეულის ფიზიკის ჯგუფი შექმნა. ჯგუფს შოკლი და ქიმიკოსი სტენლი მორგანი ხელმძღვანელობდნენ; მის შემადგენლობაში შედიოდნენ ჯონ ბარდინი, უოლტერ ბრატეინი, ფიზიკოსი ჯერალდ პირსონი, ქიმიკოსი რობერტ გიბნი, ელექტრონიკის სპეციალისტი ჰილბერტ მური და რამდენიმე ტექნიკოსი. მათ მყიფე მინის ვაკუუმურ მილებზე დაფუძნებული გამაძლიერებლებისთვის მყარსხეულოვანი ალტერნატივა უნდა მოეძებნათ. თავდაპირველად შოკლის იდეას ამოწმებდნენ — შეიძლებოდა თუ არა გარე ელექტრული ველით ნახევარგამტარის გამტარობაზე ზემოქმედება. სხვადასხვა კონფიგურაციასა და მასალაზე ჩატარებული ყველა ცდა უშედეგო აღმოჩნდა. ჯგუფი ჩიხში შევიდა, სანამ ბარდინმა არ წამოაყენა ზედაპირული მდგომარეობების თეორია, რომლის მიხედვითაც ეს მდგომარეობები ელექტრულ ველს ნახევარგამტარში შეღწევას უშლიდა. ამის შემდეგ ჯგუფმა ყურადღება ზედაპირული მდგომარეობების შესწავლაზე გადაიტანა და სამუშაოს განსახილველად თითქმის ყოველდღე იკრიბებოდა. ჯგუფის წევრებს კარგი ურთიერთობა ჰქონდათ და იდეებს თავისუფლად უზიარებდნენ ერთმანეთს.[27]

1946 წლის ზამთრისთვის საკმარისი შედეგი დაგროვდა და ბარდინმა ზედაპირული მდგომარეობების შესახებ სტატია Physical Review-ს წარუდგინა. ბრატეინმა ზედაპირული მდგომარეობების შესასწავლად ნახევარგამტარის ზედაპირს ძლიერი სინათლე მოჰფინა და მიღებულ ცვლილებებს დააკვირდა. ამას კიდევ რამდენიმე სტატია მოჰყვა, რომელთაგან ერთ-ერთი შოკლის თანაავტორობით გამოქვეყნდა. კვლევების მიხედვით, ზედაპირული მდგომარეობების სიმკვრივე საკმარისზე მეტი იყო წარუმატებელი ცდების ასახსნელად. მუშაობა საგრძნობლად დაჩქარდა, როდესაც ნახევარგამტარსა და გამტარ სადენებს შორის წერტილოვანი კონტაქტების გარშემო ელექტროლიტების მოთავსება დაიწყეს. მურმა ააწყო წრედი, რომლითაც შემავალი სიგნალის სიხშირის მარტივად შეცვლა შეიძლებოდა. სიმძლავრის გაძლიერების პირველი ნიშნები მაშინ გამოჩნდა, როდესაც პირსონმა, შოკლის წინადადებით, p–n გადასასვლელზე მოთავსებულ გლიკოლ-ბორატის წვეთს ძაბვა მიაწოდა.[28]

Bell Labs-ის იურისტებმა მალე აღმოაჩინეს, რომ შოკლის მიერ ჩამოყალიბებული ველის ეფექტის პრინციპი იულიუს ლილიენფელდს მანამდე უკვე აღწერილი ჰქონდა, ხოლო ამ პრინციპზე დაფუძნებული მოწყობილობები 1930 წელს დაეპატენტებინა. MESFET-ის მსგავსი მოწყობილობის საპატენტო განაცხადი მან კანადაში ჯერ კიდევ 1925 წლის 22 ოქტომბერს შეიტანა.[29][30] იურისტების აზრით, პატენტის გაუქმების საფუძველი არსებობდა, რადგან აღწერილი მოწყობილობა ვერ იმუშავებდა. მიუხედავად ამისა, ოთხიდან მხოლოდ ერთი საპატენტო განაცხადი მოამზადეს ბარდინ–ბრატეინის წერტილოვანი კონტაქტის კონსტრუქციის საფუძველზე. უფრო ადრე შეტანილი დანარჩენი სამი განაცხადი ელექტროლიტურ ტრანზისტორებს ეხებოდა და გამომგონებლებად ბარდინი, გიბნი და ბრატეინი იყვნენ მითითებული.[31]

შოკლის სახელი არცერთ განაცხადში არ ფიგურირებდა. ამან იგი გააბრაზა: შოკლი მიიჩნევდა, რომ პატენტებში მისი სახელიც უნდა ყოფილიყო, რადგან კვლევა ველის ეფექტის მისეულ იდეას ეფუძნებოდა. იგი პატენტის მხოლოდ საკუთარ სახელზე გაფორმებასაც ცდილობდა. ამის შესახებ მან ბარდინსა და ბრატეინს უთხრა.[32]

განაცხადებიდან საკუთარი სახელის გამოტოვებით გაბრაზებულმა შოკლიმ ფარულად განაგრძო განსხვავებული ტიპის ტრანზისტორის შექმნაზე მუშაობა. ახალი მოწყობილობა წერტილოვანი კონტაქტების ნაცვლად გადასასვლელებს ეყრდნობოდა. მისი აზრით, ასეთი კონსტრუქცია კომერციულად უფრო წარმატებული იქნებოდა, რადგან წერტილოვანი კონტაქტის ტრანზისტორი მყიფე და რთულად საწარმოებელი აღმოჩნდებოდა. შოკლი ამ ტრანზისტორის მოქმედების ზოგიერთი ახსნითაც უკმაყოფილო იყო და არაძირითადი მუხტის მატარებლების ინჟექციის შესაძლებლობა განიხილა.

1948 წლის 13 თებერვალს ჯგუფის კიდევ ერთმა წევრმა, ჯონ ნ. შაივმა, გერმანიუმის თხელი სოლის წინა და უკანა მხარეს ბრინჯაოს კონტაქტები მოათავსა და წერტილოვანი კონტაქტის ტრანზისტორი ააწყო. ამით მან დაამტკიცა, რომ ხვრელები გერმანიუმის მთელ მოცულობაში ვრცელდებოდა და არა მხოლოდ ზედაპირზე, როგორც მანამდე ფიქრობდნენ.[33][34] შაივის გამოგონებამ[35] შოკლის გადასასვლელი ტრანზისტორის შექმნისკენ უბიძგა.[36] რამდენიმე თვის შემდეგ შოკლიმ სრულიად ახალი, გაცილებით გამძლე, ფენოვანი, „სენდვიჩის“ ტიპის აგებულების ტრანზისტორი შექმნა. 1960-იან წლებამდე ეს კონსტრუქცია ტრანზისტორების უდიდეს უმრავლესობაში გამოიყენებოდა და საბოლოოდ ბიპოლარულ გადასასვლელ ტრანზისტორად განვითარდა. მოგვიანებით შოკლიმ ჯგუფის მუშაობას „თანამშრომლობისა და კონკურენციის ნაზავი“ უწოდა. მისი თქმით, საკუთარ სამუშაოს ნაწილს საიდუმლოდ ინახავდა, სანამ შაივის 1948 წლის მიღწევამ შოკლის საკუთარი შედეგების გასაჯაროება არ აიძულა.[37] შოკლიმ „სენდვიჩის“ ტრანზისტორის მოქმედება დეტალურად აღწერა; კონცეფციის პრაქტიკული დადასტურება პირველად 1949 წლის 7 აპრილს მიიღეს.

ამავე პერიოდში შოკლი მუშაობდა წიგნზე Electrons and Holes in Semiconductors („ელექტრონები და ხვრელები ნახევარგამტარებში“), რომელიც 1950 წელს 558-გვერდიანი ტრაქტატის სახით გამოიცა. წიგნში მან ჩამოაყალიბა დრიფტისა და დიფუზიის შესახებ მნიშვნელოვანი იდეები და წარმოადგინა დიფერენციალური განტოლებები, რომლებიც მყარი სხეულის კრისტალებში ელექტრონების მოძრაობას აღწერს. ნაშრომში განხილულია შოკლის დიოდის განტოლებაც. წიგნი საცნობარო ტექსტად იქცა მეცნიერებისთვის, რომლებიც ტრანზისტორებისა და ნახევარგამტარებზე დაფუძნებული სხვა მოწყობილობების ახალ სახეობებს ქმნიდნენ და აუმჯობესებდნენ.[38]

ამ კვლევის შედეგად შოკლიმ ბიპოლარული გადასასვლელი ტრანზისტორი გამოიგონა. მოწყობილობა 1951 წლის 4 ივლისს პრესკონფერენციაზე წარადგინეს.[39]

„ტრანზისტორის გამოგონების“ ფართო გაშუქებისას შოკლი ხშირად წინა პლანზე ხვდებოდა, რაც ბარდინსა და ბრატეინს აღიზიანებდა. თუმცა Bell Labs-ის ხელმძღვანელობა სამივე გამომგონებელს მუდმივად ერთიან გუნდად წარმოაჩენდა. როდესაც ჟურნალისტები გამოგონებას მხოლოდ მას მიაწერდნენ, შოკლი შეცდომას ასწორებდა,[40] მაგრამ საბოლოოდ ბარდინსა და ბრატეინთან ურთიერთობა მაინც გაუფუჭდა; გადასასვლელ ტრანზისტორზე მუშაობის შესაძლებლობა ორივეს პრაქტიკულად შეუზღუდა. ბარდინმა ზეგამტარობის თეორიის კვლევა დაიწყო და 1951 წელს Bell Labs დატოვა. ბრატეინმა შოკლისთან შემდგომ მუშაობაზე უარი თქვა, რის შემდეგაც სხვა ჯგუფში გადაიყვანეს. ტრანზისტორის გამოგონებიდან ერთი წლის შემდეგ არც ბარდინსა და არც ბრატეინს მის შემდგომ განვითარებაში მნიშვნელოვანი მონაწილეობა აღარ მიუღიათ.[41]

დაახლოებით 1953 წელს შოკლიმ Bell Labs დატოვა და კალტექში დაიწყო მუშაობა.[42]

შოკლის ნახევარგამტარების ლაბორატორია

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

1956 წელს შოკლიმ კალიფორნიის მაუნტინ-ვიუში შოკლის ნახევარგამტარების ლაბორატორია დააარსა. მაუნტინ-ვიუ პალო-ალტოსთან ახლოს მდებარეობდა, სადაც მისი ხანდაზმული დედა ცხოვრობდა.[43][44] ლაბორატორია Beckman Instruments-ის დანაყოფი იყო და სილიციუმის ნახევარგამტარულ მოწყობილობებზე მუშაობდა. იმ რეგიონში, რომელსაც მოგვიანებით სილიციუმის ველი ეწოდა, ეს ამ ტიპის პირველი დაწესებულება იყო.

შოკლიმ კომპანიაში გამორჩეულად ნიჭიერი თანამშრომლები მიიწვია, მაგრამ გამუდმებით აკნინებდა, რის გამოც მათთან ურთიერთობა მალევე გაუფუჭდა.[3][45] მისი ბიოგრაფის, ჯოელ შურკინის, შეფასებით, შოკლი „შესაძლოა, ელექტრონიკის ისტორიაში ყველაზე ცუდი მენეჯერი იყო“.[45][3] მართვისას იგი ავტოკრატიული, მბრძანებლური, არათანმიმდევრული და უკიდურესად მომთხოვნი იყო; დროთა განმავლობაში უფრო პარანოიდული ხდებოდა.[46][47] ერთ ცნობილ ეპიზოდში, მას შემდეგ, რაც კომპანიის მდივანმა მცირე ჭრილობა მიიღო, შოკლიმ „დამნაშავის“ საპოვნელად თანამშრომლებისთვის სიცრუის დეტექტორით შემოწმება მოითხოვა.[47] 1957 წლის ბოლოს შოკლის რვა საუკეთესო მკვლევარმა, რომლებიც მოგვიანებით „მოღალატე რვიანის“ სახელით გახდნენ ცნობილი, კომპანია დატოვა მას შემდეგ, რაც შოკლიმ სილიციუმზე დაფუძნებული ნახევარგამტარების კვლევის გაგრძელებაზე უარი თქვა.[48][42] მათ Fairchild Semiconductor დააარსეს. ამის შემდეგ შოკლის ნახევარგამტარების ლაბორატორიამ ძველი მდგომარეობა ვეღარ აღიდგინა.[49] 1960 წელს Clevite-მა ლაბორატორია შეიძინა და 1968 წელს ITT-ს მიჰყიდა; ცოტა ხანში ლაბორატორია ოფიციალურად დაიხურა.[49]

მომდევნო 20 წლის განმავლობაში 65-ზე მეტი ახალი საწარმო შეიქმნა. მათ დამფუძნებლებს ან თანამშრომლებს Fairchild Semiconductor-თან კავშირი ჰქონდათ.[50]

1956 წლიდან მოყოლებული დაახლოებით ოცდაათი კოლეგისგან შემდგარი ჯგუფი დროდადრო იკრიბებოდა და შოკლისთან მუშაობის პერიოდს იხსენებდა. 2002 წელს ჯგუფის ორგანიზატორმა მას „ადამიანი, რომელმაც სილიციუმი სილიციუმის ველში მოიტანა“ უწოდა.[51]

რასისტული და ევგენიკური შეხედულებები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

1960 წლის აპრილში შოკლიმ ლაბორატორიის დირექტორის პოსტი დატოვა[52] და სტენფორდის უნივერსიტეტში გადავიდა, სადაც 1963 წლიდან 1975 წლამდე ინჟინერიისა და გამოყენებითი მეცნიერებების პროფესორად მუშაობდა.[53]

სიცოცხლის ბოლო ათწლეულებში შოკლი, რომელსაც გენეტიკის განათლება არ ჰქონდა, ფართოდ გახდა ცნობილი რასისა და ადამიანის ინტელექტის შესახებ უკიდურესი შეხედულებებითა და ევგენიკის მხარდაჭერით.[4][7] Los Angeles Times-ის ნეკროლოგში ნათქვამია, რომ სოლიდური აკადემიური კვალიფიკაციის მქონე ფიზიკოსი მოყვარულ გენეტიკოსად იქცა, რომლის შეხედულებებსაც უნივერსიტეტებში დემონსტრაციები და მწვავე კრიტიკა მოჰყვა. შოკლი ამ საქმიანობას კაცობრიობის მომავლისთვის მნიშვნელოვნად მიიჩნევდა და კარიერის ყველაზე მნიშვნელოვან ნაწილადაც ასახელებდა. იგი ამტკიცებდა, რომ მის მიერ ნაკლები ინტელექტის მქონედ მიჩნეულ ადამიანებში შობადობის უფრო მაღალი მაჩვენებელი დისგენიკურ შედეგს იწვევდა, ხოლო საშუალო ინტელექტის დონის დაცემა ცივილიზაციის დაქვეითებას გამოიწვევდა. მისი კიდევ ერთი მტკიცებით, შავკანიანები გენეტიკური და ინტელექტუალური ნიშნებით თეთრკანიანებს ჩამოუვარდებოდნენ.[4]

შოკლის ბიოგრაფი ჯოელ შურკინი აღნიშნავს, რომ იმდროინდელ აშშ-ში მოქმედი რასობრივი სეგრეგაციის გამო, ცხოვრების დიდი ნაწილის განმავლობაში შოკლის შავკანიანებთან თითქმის არ ჰქონდა ურთიერთობა.[54] მისი ყოფილი კოლეგის, ბო ლოიეკის ვარაუდით, შოკლის შეხედულებებზე ადგილობრივ პრესაში 1963 წელს დანაშაულის შესახებ გამოქვეყნებულმა ცნობამ და ცოტა ხნის შემდეგ მისთვის გადაგზავნილმა ჯ. პ. გილფორდის სტატიამ იქონია გავლენა.[55]

შოკლი იმ რასობრივი თეორეტიკოსებიდან ერთ-ერთი იყო, რომლებსაც Pioneer Fund აფინანსებდა; სულ მცირე ერთი შემოწირულობა მან ფონდის დამფუძნებლის, ევგენიკოს უიკლიფ დრეიპერისგანაც მიიღო.[56][57] შოკლის იდეით, 100-ზე დაბალი IQ-ის მქონე ადამიანებს ნებაყოფლობითი სტერილიზაციის სანაცვლოდ 1 000 აშშ დოლარი უნდა მიეღოთ ყოველ ქულაზე, რომელიც მათ 100-მდე აკლდათ.[4] ამის გამო ლიდსის უნივერსიტეტმა მისთვის საპატიო ხარისხის მინიჭების შეთავაზება გააუქმა.[4] ანთროპოლოგმა როჯერ პირსონმა შოკლის პოზიციები დაიცვა თავის წიგნში, რომლის თანაავტორიც თავად შოკლი იყო.[58]

1973 წელს ვისკონსინ–მილუოკის უნივერსიტეტის პროფესორმა ედგარ ჯ. ეპსმა აღნიშნა, რომ „უილიამ შოკლის პოზიცია შეიძლება რასისტულად იქნეს გაგებული“.[59] 1974 წელს გადაცემა Firing Line-ში უილიამ ფ. ბაკლი უმცროსთან საუბრისას შოკლიმ განაცხადა: „ჩემს კვლევას გარდაუვლად მივყავარ დასკვნამდე, რომ ამერიკელ შავკანიანთა ინტელექტუალური და სოციალური დეფიციტის ძირითადი მიზეზი მემკვიდრეობითი და რასობრივ-გენეტიკური წარმოშობისაა, შესაბამისად, გარემოს პრაქტიკული გაუმჯობესებით მისი გამოსწორება შეუძლებელია“.[60]

სამხრეთის სიღარიბის სამართლებრივი ცენტრი შოკლის თეთრ ნაციონალისტად აღწერს. ცენტრის შეფასებით, მან საკუთარი ევგენიკური თეორიების მტკიცებულებები ვერ წარმოადგინა და მის ნააზრევს თითქმის საყოველთაოდ არასერიოზულად მიიჩნევდნენ.[61] სამეცნიერო ჟურნალისტი ანჯელა საინი კი მას „ცნობილ რასისტად“ მოიხსენიებს.[56]

შოკლი ამტკიცებდა, რომ რასისტი არ იყო.[59][62] მისი თქმით, კვლევის შედეგები თეთრკანიანთა უპირატესობას არ ამყარებდა და მიუთითებდა, რომ აღმოსავლეთ აზიელებსა და ებრაელებს თეთრკანიანებზე მაღალი ინტელექტი ჰქონდათ.[59] 1973 წელს ეპსმა უპასუხა, რომ არიული უპირატესობის უარყოფა საკმარისი არ იყო და აღმოსავლეთ აზიელთა ან ებრაელთა მემკვიდრეობითი უპირატესობის თეორიაც ისეთივე რასისტული იყო, როგორიც არიული უპირატესობის დოქტრინა.[59]

შოკლის მიერ ევგენიკის მხარდაჭერას პროტესტები მოჰყვა. 1968 წელს სამეცნიერო საზოგადოება „Sigma Xi“-მ, ძალადობის საფრთხის გამო, გააუქმა ბრუკლინში დაგეგმილი სხდომა, რომელზეც შოკლი უნდა გამოსულიყო.[63]

1981 წელს ატლანტაში შოკლიმ გაზეთ Atlanta Constitution-ის წინააღმდეგ ცილისწამების სარჩელი შეიტანა. ეს მას შემდეგ მოხდა, რაც სამეცნიერო ჟურნალისტმა როჯერ უიზერსპუნმა შოკლის მიერ ნებაყოფლობითი სტერილიზაციის პროგრამის მხარდაჭერა ადამიანებზე ნაცისტურ ექსპერიმენტებს შეადარა. სასამართლო განხილვა სამი წლის შემდეგ დაიწყო და შოკლის სასარგებლოდ დასრულდა. მიუხედავად ამისა, სასამართლომ მას მხოლოდ ერთი აშშ დოლარის ოდენობის ნომინალური კომპენსაცია მიაკუთვნა[64] და სადამსჯელო კომპენსაცია არ დაუნიშნავს. შოკლის ბიოგრაფი ჯოელ შურკინი, რომელიც იმ წლებში სტენფორდის უნივერსიტეტის სამეცნიერო ჟურნალისტად მუშაობდა, საქმის შედეგს ასე აჯამებს: შედარება მართლაც ცილისმწამებლური იყო, თუმცა გადაწყვეტილების გამოტანის დროისთვის შოკლის რეპუტაცია უკვე უკიდურესად შელახული გახლდათ.[65] შოკლი ჟურნალისტებთან სატელეფონო საუბრებს იწერდა, ტექსტად აქცევდა და მათ რეგისტრირებული ფოსტით უგზავნიდა. ერთხანს ფიქრობდა, რომ ჟურნალისტებს მის ნაშრომებზე მარტივი ტესტი უნდა ჩაებარებინათ, სანამ მათთან ამ საკითხზე საუბარს დათანხმდებოდა. მის მიერ ყველა ჩანაწერის (მათ შორის სარეცხის სიების) შენახვამ მკვლევრებს მისი ცხოვრების შესახებ უმდიდრესი დოკუმენტური მასალა დაუტოვა.[66]

შოკლი აშშ-ის სენატის 1982 წლის კალიფორნიის არჩევნებში რესპუბლიკური პარტიის კანდიდატობის მოპოვებას ცდილობდა. მისი პლატფორმა ერთ საკითხზე იყო აგებული: იგი ეწინააღმდეგებოდა „დისგენიკურ საფრთხეს“, რომელსაც, მისი მტკიცებით, აფროამერიკელები და სხვა ჯგუფები ქმნიდნენ.[67][61][68] შიდაპარტიულ არჩევნებში შოკლიმ მერვე ადგილი დაიკავა და 8 308 ხმა (0,37%) მიიღო.[69] შურკინის შეფასებით, ამ დროისთვის რასისტულმა შეხედულებებმა შოკლის სანდოობა საბოლოოდ დაუკარგა; მასთან კავშირს თითქმის ყველა ერიდებოდა, ხოლო ვინც კავშირს ინარჩუნებდა, ბევრი მას უფრო მეტად ვნებდა, ვიდრე ეხმარებოდა.[70]

ევგენიკისა და დისგენიკის კვლევისა და განათლების ფონდი

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

ევგენიკისა და დისგენიკის კვლევისა და განათლების ფონდი (ინგლ. Foundation for Research and Education on Eugenics and Dysgenics; FREED) — 1970 წლის მარტში აშშ-ში შექმნილი არაკომერციული ორგანიზაცია, რომელიც შოკლის კვლევების მხარდაჭერას ემსახურებოდა. ფონდის პრეზიდენტი თავად შოკლი იყო, ხოლო რ. ტრევის ოზბორნი — წევრი.[71][72][73] სტენფორდის უნივერსიტეტში ფონდი გამოსცემდა საინფორმაციო ბიულეტენს „FREED“ და კვლევით ნაშრომებს. დეკლარირებული მისიის თანახმად, ფონდი შეიქმნა „მხოლოდ სამეცნიერო და საგანმანათლებლო მიზნებისთვის, რომლებიც ადამიანთა პოპულაციისა და მისი ხარისხის პრობლემებს უკავშირდება“.[73]

1969–1976 წლებში Pioneer Fund-მა შოკლის საქმიანობის მხარდასაჭერად 2023 წლის ფასებით დაახლოებით 2,5 მილიონი აშშ დოლარი გამოყო. თანხის ნაწილი სტენფორდის უნივერსიტეტს გრანტების სახით გადაეცა „გენეტიკურ პოტენციალზე მოქმედი ფაქტორების კვლევისთვის“, ნაწილი კი პირდაპირ FREED-ს გადაერიცხა.[61][74] ამ ფონდის მეშვეობით შოკლი ავრცელებდა „ნებაყოფლობითი სტერილიზაციის ბონუსის გეგმის“ იდეას — ეკონომიკურად შეჭირვებული ქალებისთვის სტერილიზაციის სანაცვლოდ კომპენსაციის გადახდას.[61]

1970 წელს შოკლიმ ფონდის დირექტორად ალასკის ყოფილი სენატორი ერნესტ გრუენინგი მიუთითა.[75]

პირადი ცხოვრება

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

23 წლის ასაკში, ჯერ კიდევ სტუდენტობისას, შოკლი 1933 წლის აგვისტოში ჯინ ბეილიზე დაქორწინდა. მათ ორი ვაჟი და ერთი ქალიშვილი შეეძინათ.[76] წყვილი 1953 წელს დაშორდა.[42] 1955 წელს შოკლი ემი ლენინგზე დაქორწინდა, რომელიც ფსიქიატრიული პროფილის ექთანი იყო; ლენინგი მას ზოგიერთი თეორიის დამუშავებაში ეხმარებოდა.[42][77][78] მიუხედავად იმისა, რომ ერთ-ერთმა ვაჟმა სტენფორდის უნივერსიტეტში დოქტორის ხარისხი მიიღო, ქალიშვილმა კი რედკლიფის კოლეჯი დაამთავრა, შოკლი შვილებს „ძალზე მნიშვნელოვან უკუსვლად“ მიიჩნევდა და ამბობდა, რომ მისი პირველი ცოლი — მათი დედა — აკადემიური მიღწევების დონით მას ჩამოუვარდებოდა.[4]

შოკლი გამოცდილი მეკლდეური იყო და ჰადსონის მდინარის ხეობაში მდებარე შავანგანკის ქედს ხშირად სტუმრობდა. 1953 წელს გავლილი მისი ერთ-ერთი მარშრუტი, „შოკლის ჭერი“, ამ მხარის კლდეზე ცოცვის კლასიკურ მარშრუტად მიიჩნევა.[28][79] Mountain Project-ის ონლაინ გზამკვლევში აღნიშნულია, რომ შოკლის ევგენიკურ შეხედულებებთან დაკავშირებული დავების გამო მარშრუტს სახელი შეუცვალეს და მხოლოდ „ჭერი“ (ინგლ. The Ceiling) უწოდეს.[80] 1996 წლის გზამკვლევის თანახმად, ჯგუფმა, რომელმაც მარშრუტი პირველად გაიარა, ჭერის მონაკვეთს გვერდი აუარა; გზამკვლევში ეს ვარიანტი შეტანილია სახელწოდებით ინგლ. Shockley's Without. შოკლი ასევე პოპულარული მომხსენებელი, ლექტორი და მოყვარული ილუზიონისტი იყო. ერთხელ, ამერიკის ფიზიკური საზოგადოების წინაშე მოხსენების დასასრულს, მან ვარდების თაიგული „ჯადოსნურად“ გამოაჩინა.

ახალგაზრდობაში შოკლი საგულდაგულოდ დაგეგმილი ოინებითაც იყო ცნობილი.[81] წლების განმავლობაში მისი ერთ-ერთი გატაცება ჭიანჭველების კოლონიების მოშენება გახლდათ.[14]

შოკლი სპერმის დონორი იყო Repository for Germinal Choice-ში — რობერტ კლარკ გრეჰემის მიერ დაარსებულ სპერმის ბანკში, რომელიც კაცობრიობის საუკეთესო გენების გავრცელების მიზნით შეიქმნა. მედიაში „ნობელის პრემიის ლაურეატთა სპერმის ბანკად“ მოხსენიებული დაწესებულება აცხადებდა, რომ სამი ნობელიანტი დონორი ჰყავდა; მათგან საკუთარი მონაწილეობა საჯაროდ მხოლოდ შოკლიმ აღიარა.[82] შოკლის სადავო შეხედულებებმა ბანკს სკანდალური რეპუტაცია შეუქმნა; სავარაუდოდ სწორედ ამან შეაკავა სხვა ნობელიანტები სპერმის დონაციისგან.[83]

ბიოგრაფიული წყაროს თანახმად, შოკლი ცხოვრებით უკმაყოფილო იყო და ვაჟებზე ხშირად ფსიქოლოგიურად, ზოგჯერ კი ფიზიკურადაც ძალადობდა.[84] გავრცელებული ცნობით, მან ერთხელ თვითმკვლელობის მცდელობისას საკუთარი სიცოცხლით რუსული რულეტი ითამაშა.[42][85]

შოკლი 1989 წლის 12 აგვისტოს, 79 წლის ასაკში, კალიფორნიის სტანფორდში პროსტატის კიბოთი გარდაიცვალა.[86] სიცოცხლის ბოლოს მას მეგობრებისა და ოჯახის წევრების უმეტესობასთან ურთიერთობა გაწყვეტილი ჰქონდა; გამონაკლისს მხოლოდ მისი მეორე ცოლი წარმოადგენდა. შვილებმა მისი გარდაცვალების შესახებ გაზეთში გამოქვეყნებული ნეკროლოგიდან შეიტყვეს.[87] დაკრძალულია კალიფორნიის ქალაქ პალო-ალტოში, ალტა-მესის მემორიალურ პარკში.

აღიარება

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

წევრობა

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]
წელი ორგანიზაცია სტატუსი წყარო
1951 აშშ-ის დროშა აშშ-ის მეცნიერებათა ეროვნული აკადემია წევრი [88]

ჯილდოები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]
წელი ორგანიზაცია ჯილდო ფორმულირება წყარო
1952 აშშ-ის დროშა რადიოინჟინერთა ინსტიტუტი მორის ლიბმანის მემორიალური პრემია „ტრანზისტორის შექმნასა და განვითარებაში შეტანილი წვლილისთვის“ [89]
1953 აშშ-ის დროშა აშშ-ის მეცნიერებათა ეროვნული აკადემია კომსტოკის პრემია ფიზიკაში „მყარი მასალების ელექტრული და მაგნიტური თვისებების პიონერული კვლევისა და აღწერისთვის; კერძოდ, ნახევარგამტარებში ელექტრონებითა და ხვრელებით ელექტროგამტარობის კვლევისთვის“ [90]
1953 აშშ-ის დროშა ამერიკის ფიზიკური საზოგადოება ოლივერ ე. ბაკლის პრემია „ნახევარგამტარების ფიზიკაში შეტანილი წვლილისთვის“ [91]
1956 შვედეთის დროშა შვედეთის სამეფო მეცნიერებათა აკადემია ნობელის პრემია ფიზიკაში
ჯონ ბარდინთან და უოლტერ ბრატეინთან ერთად		 „ნახევარგამტარების კვლევისა და ტრანზისტორული ეფექტის აღმოჩენისთვის“ [2]
1963 ავსტრიის დროშა ავსტრიის სავაჭრო ასოციაცია ვილჰელმ ექსნერის მედალი — [92]
1963 აშშ-ის დროშა მექანიკოს ინჟინერთა ამერიკული საზოგადოება ჰოლის მედალი — [93]
1980 აშშ-ის დროშა IEEE IEEE-ის ღირსების მედალი „გადასასვლელიანი ტრანზისტორის, მისი ანალოგისა და გადასასვლელიანი ველის ტრანზისტორის გამოგონებისა და მათი მუშაობის საფუძვლად მდებარე თეორიისთვის“ [94]

პატენტები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

შოკლიმ აშშ-ში 90-ზე მეტი პატენტი მიიღო.[95] მათ შორის აღსანიშნავია:

  • US2502488 — „ნახევარგამტარული გამაძლიერებელი“ (ინგლ. Semiconductor Amplifier), 1950 წლის 4 აპრილი; ტრანზისტორებთან დაკავშირებული პირველი მინიჭებული პატენტი.
  • US2569347 — „ნახევარგამტარული მასალის გამომყენებელი სქემის ელემენტი“ (ინგლ. Circuit element utilizing semiconductive material), 1951 წლის 25 სექტემბერი; ტრანზისტორებთან დაკავშირებული განაცხადებიდან ყველაზე ადრეული (შეტანილია 1948 წლის 26 ივნისს).
  • US2655609 — „ბისტაბილური სქემები“ (ინგლ. Bistable Circuits), 1953 წლის 13 ოქტომბერი; გამოიყენებოდა კომპიუტერებში.
  • US2787564 — „ნახევარგამტარული მოწყობილობების ფორმირება იონური დაბომბვით“ (ინგლ. Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment), 1957 წლის 2 აპრილი; მინარევების იმპლანტაციის დიფუზიური პროცესი.
  • US3031275 — „მონოკრისტალების ზრდის პროცესი“ (ინგლ. Process for Growing Single Crystals), 1962 წლის 24 აპრილი; საბაზისო მასალების წარმოების პროცესის დახვეწა.
  • US3053635 — „სილიციუმის კარბიდის კრისტალების ზრდის მეთოდი“ (ინგლ. Method of Growing Silicon Carbide Crystals), 1962 წლის 11 სექტემბერი.

ნაშრომები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

ომამდელი სამეცნიერო სტატიები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

ომისშემდგომი სამეცნიერო სტატიები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

წიგნები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]
  • ინგლ. Electrons and Holes in Semiconductors with Applications to Transistor Electronics. Krieger, 1956. ISBN 0-88275-382-7
  • ინგლ. Mechanics (უოლტერ ა. გონგთან ერთად). Charles E. Merrill, 1966.
  • ინგლ. Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems (რედაქტორი როჯერ პირსონი). Scott-Townsend, 1992. ISBN 1-878465-03-1

ევგენიკისა და მემკვიდრეობის შესახებ

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

1960-იანი წლების შუა ხანებიდან შოკლიმ ინტელექტის მემკვიდრეობითობისა და ევგენიკის თემაზე არაერთი ტექსტი გამოაქვეყნა. მათი დიდი ნაწილი პრესრელიზი, მოხსენების ტექსტი ან გამოუქვეყნებელი ხელნაწერი იყო; ქვემოთ ჩამოთვლილია რეცენზირებულ სამეცნიერო ჟურნალებში დაბეჭდილი ნაშრომები.

ინტერვიუები

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

სქოლიო

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]
  1. 1 2 Shockley, William (1936). Electronic bands in sodium chloride (Ph.D. thesis). Bibcode:1936PhRv...50..754S. doi:10.1103/PhysRev.50.754.
  2. 1 2 Nobel Prize in Physics 1956. ნობელის ფონდი. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2008-09-14. ციტირების თარიღი: 2008-10-09
  3. 1 2 3 Moffitt, Mike. (2018-08-21) How a racist genius created Silicon Valley by being a terrible boss en-US. Hearst Communications. ციტირების თარიღი: 2022-07-17
  4. 1 2 3 4 5 6 Boyer, Edward J. (August 14, 1989). „Controversial Nobel Laureate Shockley Dies“. Los Angeles Times. ციტირების თარიღი: May 11, 2015.
  5. ↑ Saxon, Wolfgang (August 14, 1989). „William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race“. The New York Times. ციტირების თარიღი: January 2, 2015.
  6. ↑ Sparks, Morgan; Hogan, Lester; Linville, John (1991). „William Shockley“. Physics Today. 44 (6): 130–132. Bibcode:1991PhT....44f.130S. doi:10.1063/1.2810155. ISSN 0031-9228.
  7. 1 2 Inventors of the transistor followed diverse paths after 1947 discovery. Associated Press (December 26, 1987). ციტატა: „Although he has received less publicity in recent years, his views have become, if anything, more extreme. He suggested in an interview the possibility of bonus payments to black people for undergoing voluntary sterilization.“ ციტირების თარიღი: 2022-07-13
  8. ↑ Palo Alto History. დაარქივებულია ორიგინალიდან — July 27, 2022. ციტატა: „His views became increasingly controversial, as he asserted that darker races were mentally inferior to whites and that ghetto blacks were “downbreeding” humanity. He became a firm proponent of eugenics: the belief that targeted breeding could lead to improvements in the human race.“ ციტირების თარიღი: October 7, 2024
  9. ↑ Thorp, H. Holden (2022-11-18). „Shockley was a racist and eugenicist“. Science (ინგლისური). 378 (6621): 683. Bibcode:2022Sci...378..683T. doi:10.1126/science.adf8117. ISSN 0036-8075.
  10. ↑ „Contributors to Proceedings of the I.R.E.“. Proceedings of the IRE. 40 (11): 1605–1612. 1952. Bibcode:1952PIRE...40.1605.. doi:10.1109/JRPROC.1952.274003.
  11. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 5. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  12. ↑ Palo Alto History. დაარქივებულია ორიგინალიდან — July 27, 2022. ციტატა: „In Palo Alto, William's temper improved little at first. But ignoring psychiatric recommendations for more socialization, his parents decided to home school William until age eight. Finally, feeling they were unable to keep him out of a school setting any longer, they sent him to the Homer Avenue School for two years, where his behavior improved dramatically --- he even earned an "A" in comportment in his first year.“ ციტირების თარიღი: December 14, 2020
  13. ↑ William Shockley en (September 10, 1974). ციტირების თარიღი: 2022-07-17
  14. 1 2 Hiltzik, Michael A.. (December 2, 2001) The Twisted Legacy of William Shockley.
  15. ↑ Moll, John L. (1995). A Biographical Memoir of William Bradford Shockley. Washington, D.C.: National Academies Press. 
  16. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 38–39. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  17. ↑ Cooper, David Y. (2000). Shockley, William Bradford (13 February 1910–12 August 1989), physicist, American National Biography Online. Oxford University Press. DOI:10.1093/anb/9780198606697.article.1302153. 
  18. ↑ Transistor – Innovation at Bell Labs, Encyclopaedia Britannica.
  19. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 48. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  20. ↑ The Innovators, გვ. 101.
  21. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 65–67. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  22. ↑ Dean Barrett, David (2020). 140 days to Hiroshima: the story of Japan's last chance to avert Armageddon. New York: Diversion Books. ISBN 978-1-63576-580-9. OCLC 1149147965. 
  23. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 85. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  24. ↑ Giangreco, D. M. (1997). „Casualty Projections for the U.S. Invasions of Japan, 1945–1946: Planning and Policy Implications“. Journal of Military History. 61 (3): 521–581. doi:10.2307/2954035. JSTOR 2954035.
  25. ↑ Newman, Robert P. (1998). „Hiroshima and the Trashing of Henry Stimson“. The New England Quarterly. 71 (1): 27. doi:10.2307/366722. JSTOR 366722.
  26. ↑ John D. Barrow, The Artful Universe, Clarendon Press, Oxford, 1995, გვ. 239.
  27. ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton, გვ. 127. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  28. 1 2 Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton, გვ. 132. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  29. ↑ „Electric current control mechanism“, კანადაში პირველად შეტანილია 1925 წლის 22 ოქტომბერს.
  30. ↑ Lilienfeld. დაარქივებულია ორიგინალიდან — October 2, 2006.
  31. ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  32. ↑ William Shockley. IEEE Global History Network. IEEE. ციტირების თარიღი: July 18, 2011
  33. ↑ (1998) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. W. W. Norton & Company, გვ. 153. ISBN 978-0-393-31851-7. 
  34. ↑ Hoddeson, Lillian; Daitch, Vicki (2002) True Genius: The Life and Science of John Bardeen. Joseph Henry Press, გვ. 145. ISBN 978-0-309-08408-6. 
  35. ↑ Brittain, J. E. (1984). „Becker and Shive on the transistor“. Proceedings of the IEEE. 72 (12): 1695. Bibcode:1984IEEEP..72.1695B. doi:10.1109/PROC.1984.13075.
  36. ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton, გვ. 143. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  37. ↑ „Inventors of the transistor followed diverse paths after 1947 discovery“. Associated Press – Bangor Daily News. December 25, 1987. ციტირების თარიღი: May 6, 2012. ციტატა: „'mixture of cooperation and competition' and 'Shockley, eager to make his own contribution, said he kept some of his own work secret until "my hand was forced" in early 1948 by an advance reported by John Shive, another Bell Laboratories researcher'“
  38. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 121–122. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  39. ↑ 1951 – First grown-junction transistors fabricated. Computer History Museum (2007). ციტირების თარიღი: July 3, 2013
  40. ↑ ScienCentral, ScienCentral. Bill Shockley, Part 3 of 3.
  41. ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton, გვ. 278. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  42. 1 2 3 4 5 Transistorized! William Shockley (1999). ციტირების თარიღი: 2022-07-10
  43. ↑ „Holding On“. The New York Times. April 6, 2008. ციტირების თარიღი: December 7, 2014. ციტატა: „In 1955, the physicist William Shockley set up a semiconductor laboratory in Mountain View, partly to be near his mother in Palo Alto. ...“
  44. ↑ „Two Views of Innovation, Colliding in Washington“. The New York Times. January 13, 2008. ციტირების თარიღი: December 7, 2014. ციტატა: „The co-inventor of the transistor and the founder of the valley's first chip company, William Shockley, moved to Palo Alto, Calif., because his mother lived there. ...“
  45. 1 2 „Electronics Pioneer William Shockley's Legacy“. NPR (ინგლისური). ციტირების თარიღი: 2022-07-17.
  46. ↑ Silicon Valley en. American Experience. PBS (2013). ციტირების თარიღი: 2022-07-10
  47. 1 2 Crystal Fire, გვ. 247.
  48. ↑ Goodheart, Adam (July 2, 2006). „10 Days That Changed History“. The New York Times. ციტირების თარიღი: January 2, 2015.
  49. 1 2 Shockley Semiconductor: The Company That Birthed Silicon Valley. ციტირების თარიღი: 2026-08-02
  50. ↑ Gregory Gromov. A legal bridge spanning 100 years: from the gold mines of El Dorado to the "golden" startups of Silicon Valley.
  51. ↑ Dawn Levy. (October 22, 2002) William Shockley: still controversial, after all these years. Stanford University. დაარქივებულია ორიგინალიდან — April 4, 2005. ციტირების თარიღი: June 14, 2005
  52. ↑ McLellan, Paul. (2018-08-17) The Brief but Spectacular History of Shockley Labs. Cadence Labs. ციტირების თარიღი: 2025-11-05
  53. ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton, გვ. 277. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  54. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 52. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  55. ↑ Lojek, Bo (2021-05-07). The Will to Think. Springer, გვ. 164–165. 
  56. 1 2 Saini, Angela (2019). Superior: The Return of Race Science. Boston: Beacon Press. ISBN 978-0-8070-7694-1. OCLC 1091236746. 
  57. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 221–223. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  58. ↑ Pearson, Roger (1992). Shockley on Eugenics and Race. Scott-Townsend Publishers, გვ. 15–49. ISBN 1-878465-03-1. 
  59. 1 2 3 4 Epps, Edgar G. (February 1973). „Racism, Science, and the I.Q.“. Integrated Education. 11 (1): 35–44. doi:10.1080/0020486730110105.
  60. ↑ Firing Line with William F. Buckley Jr.: Shockley's Thesis (Episode S0145, Recorded on June 10, 1974) (2017-01-27). დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2021-11-17. ციტირების თარიღი: 2017-09-17
  61. 1 2 3 4 William Shockley. ციტირების თარიღი: 2024-02-08
  62. ↑ Harris, Art (1984-09-12). „The Shockley Suit“. The Washington Post (ინგლისური). ISSN 0190-8286. ციტირების თარიღი: 2023-03-29.
  63. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 219–220. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  64. ↑ Kessler, Ronald. „Absent at the Creation; How one scientist made off with the biggest invention since the light bulb“. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2015-02-24.
  65. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 259–260. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  66. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 286. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  67. ↑ Moll, John L.. (1995) William Bradford Shockley 1910—1989.
  68. ↑ „Shockley, Nobel Winner, Files for Senate Race in California“. The New York Times. 1982-02-12.
  69. ↑ 1982 Senatorial Republican Primary Election Results – California. ციტირების თარიღი: 2026-08-01
  70. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 268. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  71. ↑ The Gazette from Montreal, Quebec, Canada en-US (1985-03-28). ციტირების თარიღი: 2024-02-08
  72. ↑ Shurkin, Joel N. (2008). Broken Genius (en). DOI:10.1007/978-0-230-55229-6. ISBN 978-0-230-55192-3. 
  73. 1 2 Tucker, William H. (1994). The Science and Politics of Racial Research (en). University of Illinois Press. ISBN 978-0-252-06560-6. 
  74. ↑ Lichtenstein, Grace (1977-12-11). „Fund Backs Controversial Study of 'Racial Betterment'“. The New York Times.
  75. ↑ The Delta Democrat-Times from Greenville, Mississippi en-US (1970-04-29). ციტირების თარიღი: 2024-02-08
  76. ↑ A Science Odyssey: People and Discoveries: William Shockley.
  77. ↑ Hoddeson, Lillian; Daitch, Vicki (2002) True Genius: The Life and Science of John Bardeen: The Only Winner of Two Nobel Prizes in Physics. Washington, D.C.: Joseph Henry Press. ISBN 0-309-16954-2. OCLC 1162253791. 
  78. ↑ William B. Shockley – Biographical. Nobel Foundation. ციტირების თარიღი: 2026-08-01
  79. ↑ Shockley's Ceiling. ციტირების თარიღი: 2018-12-12
  80. ↑ Rock Climb The Ceiling, The Gunks. ციტირების თარიღი: 2020-09-16
  81. ↑ Riordan, Michael; Hoddeson, Lillian (1997) Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton, გვ. 45. ISBN 978-0-393-04124-8. 
  82. ↑ Kulman, Doris (1982-09-19). „'Banker's' assets misdirected“. The Daily Register. p. 47.
  83. ↑ Polly Morrice (2005-07-03). „The Genius Factory: Test-Tube Superbabies“. The New York Times. ციტირების თარიღი: 2008-02-12.
  84. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 91–92. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  85. ↑ Shurkin, Joel N. (2006). Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. London: Macmillan, გვ. 78. ISBN 978-1-4039-8815-7. 
  86. ↑ „William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race“. The New York Times. 1989-08-14. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2009-10-15. ციტირების თარიღი: 2007-07-21.
  87. ↑ William Shockley (Part 3 of 3): Confusion over Credit (1999). ციტირების თარიღი: 2015-01-01
  88. ↑ W. Shockley. National Academy of Sciences. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2025-09-08. ციტირების თარიღი: 2025-11-05
  89. ↑ IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award Recipients. IEEE. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2016-03-03. ციტირების თარიღი: 2011-02-27
  90. ↑ Comstock Prize in Physics. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2010-12-29. ციტირების თარიღი: 2011-02-13
  91. ↑ Oliver E. Buckley Condensed Matter Prize. ციტირების თარიღი: 2022-05-03
  92. ↑ William Shockley. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2024-12-07. ციტირების თარიღი: 2025-11-05
  93. ↑ Holley Medal. American Society of Mechanical Engineers. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2025-08-14. ციტირების თარიღი: 2025-11-05
  94. ↑ William Shockley. Institute of Electrical and Electronics Engineers. დაარქივებულია ორიგინალიდან — 2023-12-01. ციტირების თარიღი: 2024-05-13
  95. ↑ Google Patents assignee:(Shockley William). ციტირების თარიღი: 2020-12-12

ლიტერატურა

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

იხილეთ აგრეთვე

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]

რესურსები ინტერნეტში

[რედაქტირება | წყაროს რედაქტირება]
ვიკისაწყობში არის გვერდი თემაზე:
ვიკიციტატაში არის გვერდი თემაზე:
მოძიებულია „https://ka.wikipedia.org/w/index.php?title=უილიამ_შოკლი&oldid=5473928“-დან