ოპერატიული მეხსიერება: განსხვავება გადახედვებს შორის
| [შეუმოწმებელი ვერსია] | [შეუმოწმებელი ვერსია] |
მ ბოტის შეცვლა: de:Random-Access Memory |
მ ბოტის შეცვლა: ko:랜덤 액세스 메모리 |
||
| ხაზი 41: | ხაზი 41: | ||
[[ja:Random Access Memory]] |
[[ja:Random Access Memory]] |
||
[[kk:Жедел Жадтау Құрылғысы]] |
[[kk:Жедел Жадтау Құрылғысы]] |
||
[[ko: |
[[ko:랜덤 액세스 메모리]] |
||
[[la:RAM]] |
[[la:RAM]] |
||
[[lmo:RAM]] |
[[lmo:RAM]] |
||
16:27, 29 მაისი 2009-ის ვერსია
ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობა, ინგლისურად RAM, რეალუზებულია ზედიდი ინტეგრალური სქემის სახით. მონაცემების წაკითხვის, ან ჩაწერის დრო 60+ ნანოწამია (60x10-9წმ). არსებობს ორი ტიპის ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობა: სტატიკური და დინამიკური. სტატიკური ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობაში ელემენტარული უჯრედის როლში ინტრიგერული სქემა გამოდის. ასეთი სქემა იმპულსის მიღებამდე, ან კვების გამორთვამდე ინარჩუნებს ერთ-ერთ მდგომარეობას 0, ან 1. უჯრაში ჩაწერილი ინფორმაციის წაკითხვისას მისი მდგომარეობა არ იცვლება. დინამიკური მოდელი შედგება მიკროსკოპული ტევადობისგან (კონდესატორებისგან). ნებისმიერი კონდესატორი შეიძლება იყოს ორ მდგომარეობაში: დამუხტული, ან დაუმუხტავი. ასეთ მეხსიერებაში ჩაწერილი მონაცემების დასამახსოვრებლად საჭიროა დაუმუხტავი კონდესატორების პერიოდულად დამუხტვა. ამის გამო დინამიკური მეხსიერება სტატიკურთან შედარებით ნელამოქმედია. სამაგიეროდ იგი ნაკლებად ენერგოტევადია. უნდა აღვნიშნოთ რომ ორივე ტიპის დამახსოვრების მოწყობილობა წარმოადგენს მცირე ზომის ნაბეჭდ პლატას, მასზე განლაგებული მიკროსქემებით. ოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობის გარდა, თანამედროვე პერსონალურ კომპიუტერებს გააჩნიათ ე.წ. ზეოპერატიული დამახსოვრების მოწყობილობა (ქეშ მეზსიერება), რომელიც უზრუნველყოფს ნელმოქმედი მოწყობილობის თავსებადობას, სწრაფმოქმედ მოწყობილობასთან. მაგალითად, მიკროპროცესორის დინამიკურ მეხსიერებასთან.
არსებობს ორი დონის ქეშ მეხსიერება: პირველი დონის 32 ბაიტის ტევადობით (ახლა უკვე 64), რომელიც ჩაშენებულია უშუალოდ მიკროპროცესორში და მეორე დონის 512 და მეტი ტევადობით. იგი ყენდება სისტემურ პლატაზე.