თამაზ ბუთხუზი

თამაზ ბუთხუზი
დაბ. თარიღი	1946
დაბ. ადგილი	თბილისი, სსრკ
მოქალაქეობა	სსრკ  საქართველო
საქმიანობა	ფიზიკოსი
სამეცნიერო ხარისხი	ფიზიკა-მათემატიკის მეცნიერებათა დოქტორი

თამაზ ბუთხუზი (დ. 1946, თბილისი, საქართველოს სსრ) — ფიზიკა-მათემატიკის მეცნიერებათა დოქტორი, პროფესორი, რამდენიმე გამოგონების ავტორი, რაც მოიცავს ნახევარგამტარებში არაწონასწორულ პირობებში დეფექტთა წარმოქმნის თეორიას. მისი რადიკალურ-სხივური ჰეტერირებადი კვაზიეპიტაქსიის მეთოდის გამოყენებით პირველადაა მიღებული როგორც თუთიის ოქსიდის უნიკალური, უდეფექტო იზოლარული, ასევე პ-ტიპის ფენები. ამ თეორიის გამოყენებით მსოფლიოში პირველად იქნა შესაძლებელი თუთიის ოქსიდის ელექტრო-ოპტიკური თვისებების მართვა. რეალურად მიღებული იქნა დროში ტემპერატურის და რადიაციის მიმართ მედეგი თუთიის ოქსიდი. ეს შედეგი ახალი თაობის მართვის სისტემების შექმნის საშუალებას იძლევა. გარდა ამისა, თამაზ ბუთხუზს გამოქვეყნებული აქვს რიგი ნაშრომებისა სოციალურ ფილოსოფიაში.

სამეცნიერო მიღწევები

თამაზ ბუთხუზის სამეცნიერო კვლევის საგანია ფოტონ-ელექტრონული ურთიერთქმედება. ის არის ავტორი გამოგონებისა, რომელიც მოიცავს ნახევარგამტარებში არაწონასწორულ პირობებში დეფექტთა წარმოქმნის თეორიას. ამ თეორიის მიხედვით შექმნილია ნახევარგამტართა მიღებისა და მათი ელექტრო-ოპტიკური თვისებების მართვის ახალი, ორიგინალური მეთოდი - რადიკალურ-სხივური ჰეტერირებადი კვაზიეპიტაქსია. საავტორო მოწმობა #1175182 (1985 წელი). ამ მეთოდით პირველად იქნა გათვლილი ის კრიტიკული ტემპერატურის მნიშვნელობა, რომლის შემდეგ სისტემა თვისობრივად ახალ თვისებებს იძენს. რადიკალურ-სხივური ჰეტერირებადი კვაზიეპიტაქსიის მეთოდით მიღებული იქნა მზის ბატარეებში გამოყენებადი მაღალი მარგი ქმედების კოეფიციენტის (53-80%) მქონე მასალები ZnMnTeO.

ნაშრომები სოციალურ ფილოსოფიაში

თამაზ ბუთხუზს გამოქვეყნებული აქვს შემდეგი ნაშრომები სოციალურ ფილოსოფიაში:

1. „დაე, ესმოდეთ: ერთმანეთის გატანა ვიცით“ 1999 წ.
2. „იდეის აპოლოგია“ 2000 წ.
3. „გაახელ თვალებს, იქნება გვიან“ 2003 წ.
4. „შესაძლებლის აღსრულება“ 2008 წ.
5. „შესაძლებლის აღსრულება“ 2010 წ. (მეორე გამოცემა)
6. „სულთა ერთობა“, 2014 წ.

თამაზ ბუთხუზის სოციალურ-ფილოსოფიურ შრომებში წარმოდგენილია ადამიანის, საზოგადოების, სახელმწიფოს განვითარების მატრიცული თეორია. ავტორს ზოგადსაკაცობრიო ფასეულობებსა და ცივილიზაციის მიღწევების გათვალისწინებით, სისტემური ანალიზით ჩამოყალიბებული აქვს ზოგადი მიდგომები და პრინციპები, რაც თვითგანვითარებადი, თვითორგანიზებადი, რეგენერაციის უნარის მქონე საზოგადოების, სახელმწიფოს შექმნის საშუალებას იძლევა. ამ ურთულესი პრობლემის გადასაწყვეტად ავტორი იყენებს კომპლექსურ მიდგომას. მოვლენების ანალიზისას ეყრდნობა ლოგიკას და ფაქტებს. აღნიშნულ ნაშრომებში სოციუმის პრომლემები განხილულია ზუსტი მეცნიერების, ფილოსოფიის, თეოლოგიის, სოციალური ფილოსოფიისა და იურიდიული ფილოსოფიის თვალთახედვიდან. სხვა ფუნდამენტურ ღირებულებებთან ერთად ავტორი განსაკუთბულ ყურადღებას უთმობს ზნეობის, ეთიკის და რაციონალიზმის პრინციპებს. აღნიშნულ ნაშრომებში ავტორმა წარმოადგინა სახელმიწფოს შექმნის ორიგინალური, უნივერსალური თეორია, რომელსაც "მატრიცული თეორია" უწოდა. მატრიცული თეორია ეფექტურად ხსნის, თუ როგორ ხდებოდა ისტორიულად დეგრადირებული სოციუმიდან განვითარებადი, ძლიერი სახელმწიფოს შექმნა-ჩამოყალიბება. მატრიცული თეორია ხსნის იმ მექანიზმს, თუ როგორ უნდა მოხდეს ქვეყანაში არსებული ქაოსიდან უმოკლეს დროში მძლავრი, რეგენერაციის უნარის მქონე, თვითგანვითარებადი, თვითორგანიზებადი საზოგადოების, სახელმწიფოს შექმნა.

რესურსები ინტერნეტში

• Luminescence of Wideband Semiconductors", Prot. Lebedev Physics Institute Acad. science USSR, V.182, p.167, (Nova Sci)., New-York, 1990
• Optical and electrical properties of radical beam gettering epitaxy grown n- and p-type ZnO single crystals
• Оптические свойства диэлектрических слоев окиси цинка, Известия АНР, Неорганические материалы, т. 29, № 10, 1993 г. Москва
• Exciton Photoluminescence of Hexagonal ZnO", Phys.Rev. B Vol. 58, #16, 1998
• The problem of conductivity type inversion in wide band gap compounds, J. Physics, D: Appl. Phys. 32, 1999,
• Polaritons in Exciton Photoluminescence of ZnO at a High Level of Excitation, Proceedings of the Nonlinear Optics and Excitation Kinetics 2000, Marburg, Germany, April 10-13, 2000
• The Regulation of Defect Concentrations by Means of Separation Layer in Wide-band II-VI Compounds, Semiconductor Science and Technology Vol. 16 (2001)
• Electrical and Optical Properties of GaN Grown by Radical Beam Epitaxy on the (110) GaAs Surface, Jpn. J. Appl. Phys., v. 39, № 11B
• Cytodiagnostics on intact pollen using photoluminescence, Journal of Biological Physics and Chemistry, Vol. 2, # 1/2, 06/20
• Intrinsic defect hole conductivity obtained by ion implantation in ZnS and ZnO, Journal of Biological Physics and Chemistry, Vol. 3, # 2, 06/2003